发明名称 | 半导体结构的刻蚀方法 | ||
摘要 | 一种半导体结构的刻蚀方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有待刻蚀材料层;在所述待刻蚀材料层表面形成掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,对所述待刻蚀材料层进行刻蚀工艺,通入反应气体后,射频功率源以第一脉冲的方式输出射频功率,偏置功率源以第二脉冲的方式输出偏置功率,且所述第一脉冲和第二脉冲的脉冲频率不同。不仅刻蚀速率较快,且通过调控所述射频功率源和偏置功率源之间的脉冲频率比例,可以调整刻蚀的工艺视窗大小和刻蚀速率随时间的分布。 | ||
申请公布号 | TW201426861 | 申请公布日期 | 2014.07.01 |
申请号 | TW102140586 | 申请日期 | 2013.11.07 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 王兆祥;梁洁;倪图强 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志青 | |
主权项 | |||
地址 | 中国 |