发明名称 用于高深宽比半导体元件结构具有污染物去除之无黏附乾燥处理;STICTION-FREE DRYING PROCESS WITH CONTAMINANT REMOVAL FOR HIGH-ASPECT-RATIO SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES
摘要 本发明之实施例大体而言系关于一种清洗基板的方法及一种基板处理设备,该基板处理设备设以进行该清洗基板的方法。更具体言之,本发明之实施例系关于一种以减少或消除半导体元件特征之间的线黏附负面效应的方式清洗基板的方法。本发明的其他实施例系关于一种基板处理设备,该基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体元件特征之间的线黏附的方式清洗基板。
申请公布号 TW201426850 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102140520 申请日期 2013.11.07
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 维哈佛贝可史帝文;陈翰文;寇克罗门
分类号 H01L21/306(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 APPLIED MATERIALS, INC. 美国