发明名称 压控振荡电路结构;VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATING CIRCUIT STRUCTURE
摘要 本揭露提出一种压控振荡电路结构。根据一实施例,一压控振荡器包括一设置于一基板上之振荡器单元和一变容器单元。变容器单元与振荡器单元耦接以形成一压控振荡回路。变容器单元包括:可变电容和至少一控制端。可变电容设置于此基板中之且包括至少两个矽穿孔结构。至少一控制端用以使变容器单元受到偏压以改变可变电容之电容値。
申请公布号 TW201427269 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW101151125 申请日期 2012.12.28
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李思翰;林志昇;赖信吉;苏耿立
分类号 H03B5/24(2006.01);H01G5/16(2006.01) 主分类号 H03B5/24(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华;涂绮玲
主权项
地址 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE 新竹县竹东镇中兴路4段195号