| 发明名称 |
四元化合物薄膜及其制作方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种四元化合物薄膜之制作方法，包括：提供一基材；使用硒化亚铜靶材，于基材上形成硒化亚铜前驱物层；使用锡化锌靶材，于硒化亚铜前驱物层上形成锡化锌前驱物层，以形成包括有该硒化亚铜前驱物层及该锡化锌前驱物层的太阳能吸收前驱物反应层；以及硒化太阳能吸收前驱物反应层，以制得铜锌锡硒(CZTS)四元化合物薄膜。此外，本发明亦提供一种铜锌锡硒之四元化合物薄膜，其仅需使用两种靶材，再经过硒化步骤后即可完成CZTS四元化合物薄膜之制作，藉以大幅降低CZTS四元化合物薄膜之制作成本。 |
| 申请公布号 |
TWI443840 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW101108005 |
申请日期 |
2012.03.09 |
| 申请人 |
光洋应用材料科技股份有限公司 台南市安南区工业三路1号 |
发明人 |
林俊荣;张建强;张博钦;连文健 |
| 分类号 |
H01L31/0328;H01L31/18;C23C16/30 |
主分类号 |
H01L31/0328 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种四元化合物薄膜之制作方法，包括：(A)使用一硒化亚铜靶材(Cu2Se target)，于一基材上形成一硒化亚铜前驱物层；(B)使用一锡化锌靶材(ZnSn target)，于该硒化亚铜前驱物层上形成一锡化锌前驱物层，以形成一包括有该硒化亚铜前驱物层及该锡化锌前驱物层的太阳能吸收前驱物反应层；以及(C)硒化该太阳能吸收前驱物反应层，以制得一四元化合物薄膜。 |
| 地址 |
台南市安南区工业三路1号 |
