半导体装置及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATIONS THEREOF

摘要

本发明揭示一种包括一或多个刻面之半导体装置及其制作方法。一例如鳍式场效电晶体之半导体装置包括一鳍，形成于一半导体基底上。鳍包括一源极区、一通道和一汲极区。一闸极围绕上述通道。以例如氢退火制程对鳍之顶鳍部份进行退火，以制作出一或多个刻面。例如，顶鳍部份包括一第一刻面邻接一第二刻面，且第一刻面与第二刻面间夹角大于90℃，使得第一刻面和第二刻面间之边角尖锐度降低。根据上述，邻近边角之电场相对于鳍中其他处之感应电场大体上系均匀的。