带有自对准有源接触的基于高密度沟槽的功率ＭＯＳＦＥＴ及其制备方法;HIGH DENSITY TRENCH-BASED POWER MOSFETS WITH SELF-ALIGNED ACTIVE CONTACTS AND METHOD FOR MAKING SUCH DEVICES

摘要

本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶闸极氧化物，其中闸极氧化物的底部厚度T2大于闸极氧化物顶部的厚度T1。