形成于半导体基板之鳍片特征部上之电晶体的隔离组件;ISOLATION COMPONENTS FOR TRANSISTORS FORMED ON FIN FEATURES OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

摘要

设备包括基板，其包括表面，表面具有平坦部分及沿实质垂直于平坦部分之方向延伸且具有小于基板之厚度的厚度之鳍片特征部。设备亦包括第一电晶体，其包括形成于鳍片特征部上之第一闸极区，由鳍片特征部之主体形成之第一源极区，及由鳍片特征部之主体形成之第一汲极区。此外，设备包括第二电晶体，其包括形成于鳍片特征部上之第二闸极区，由鳍片特征部之主体组成之第二源极区，及由鳍片特征部之主体形成之第二汲极区。此外，设备包括隔离组件，其形成于第一电晶体与第二电晶体之间，其中隔离组件具有小于30nm之宽度。