增强型氮化镓电晶体元件;ENHANCEMENT MODE GALLIUM NITRIDE BASED TRANSISTOR DEVICE

摘要

一种增强型氮化镓电晶体元件，包括磊晶堆叠层、源极层、汲极层以及p型金属氧化物层。磊晶堆叠层位于基底上。源极层与汲极层位于上述磊晶堆叠层的表面上。p型金属氧化物层位于上述源极层与上述汲极层之间。闸极层位于上述p型金属氧化物层上。上述p型金属氧化物层包括主体部与多个延伸部。主体部位于上述磊晶堆叠层的表面上。多个延伸部连接上述主体部，且延伸至上述磊晶堆叠层中。此增强型氮化镓电晶体元件可以有效抑制闸极漏电流的产生。