发明名称 半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 本发明系一种半导体装置,其课题为在初期阶段,检测搭载于半导体装置,经由交流结合元件之1次侧与2次侧之绝缘破坏的短路,更且,安全地使搭载半导体装置之系统停止。解决手段为半导体装置(LSI1/2)系具备:交流结合元件(OTC1/2),和对于半导体基板之温度变化回应,输出温度监测信号(sa)之温度监测部(TS1/2),而温度监测部系具有:输出温度监测信号之第1温度监测元件,而第1温度监测元件系加以配置于交流结合元件的正下方范围或邻接范围。
申请公布号 TW201426910 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102128098 申请日期 2013.08.06
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 帰山隼一
分类号 H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01);H04L25/02(2006.01) 主分类号 H01L21/822(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 日本