藉由活化非活性氧沉淀核制造高沉淀密度晶圆;PRODUCTION OF HIGH PRECIPITATE DENSITY WAFERS BY ACTIVATION OF INACTIVE OXYGEN PRECIPITATE NUCLEI

摘要

本发明揭示处理矽晶圆以在其中形成氧沉淀核之高密度非均匀分布，以致该等晶圆在经历基本上任何任意电子装置制程之热处理循环后于本体中形成氧沉淀及形成接近表面之无沉淀区之方法。该等方法涉及藉由在约400℃及约600℃之间进行热处理至少约1小时来活化非活性氧沉淀核。