| 发明名称 |
基板处理装置及半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
本发明是以使加热基板来处理时的基板的昇温、降温速度提升为目的，提供一种基板处理装置，其系具有：处理基板的处理室，及在前述处理室内支撑前述基板的基板支撑部，及设成与前述基板支撑部的基板支撑面对向的加热部，及将前述基板搬入至前述处理室后，使前述基板下降，将前述基板载置于前述基板支撑部，且控制成使前述加热部启动的控制部。 |
| 申请公布号 |
TW201426874 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102133872 |
申请日期 |
2013.09.18 |
| 申请人 |
日立国际电气股份有限公司 |
发明人 |
筱崎贤次;嶋田敏也;油谷幸则;野内英博;天野富大;三宅正浩;桧山真;芦原洋司 |
| 分类号 |
H01L21/324(2006.01);H01L21/677(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 日本 |
