于通孔底部具有自形成阻障层之半导体设备;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SELF-FORMING BARRIER LAYER AT VIA BOTTOM

摘要

提供一种于通孔底部具有自形成阻障层的半导体设备。一般而言，该设备藉由设置金属层、设置在该金属层上的覆盖层(cap layer)及位于该覆盖层上的超低k材料层来形成。接着穿过该超低k材料层及覆盖层来形成通孔。该通孔一旦形成即对该通孔底部表面选择性地施加阻障层(例如，钴(Co)、钽(Ta)、钴钨磷化物(CoWP)、或其他能够作用为铜(Cu)扩散阻障体的金属)。然后对该通孔的一组侧壁施加衬层(例如，锰(Mn)或铝(Al))。该通孔可接着以后续金属层(有或无种晶层)填充，并且可更进一步处理(例如，退火)该设备。