发明名称 |
用于化学机械硏磨站维护之方法及化学机械硏磨站;METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) STATION MAINTENANCE AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) STATION |
摘要 |
一种用于化学机械研磨站维护之方法,包括下列步骤:收纳一化学机械研磨站于一围住区域之中,其中,该化学机械研磨站具有复数个元件于该围住区域之内,以及每一元件具有复数个暴露表面;以及建构一清洗流体传递系统去以一清洗流体于规律之复数个间隔冲洗该等暴露表面。 |
申请公布号 |
TW201426833 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102145309 |
申请日期 |
2013.12.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林国楹;蔡腾群;潘婉君;张翔笔;陈继元 |
分类号 |
H01L21/30(2006.01);H01L21/304(2006.01);B08B3/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/30(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
主权项 |
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地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |