三维记忆体结构及其操作方法;THREE DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

摘要

一种三维记忆体结构，包括复数个堆叠结构垂直形成于基底上、复数个电荷捕捉复合层位于该些堆叠结构外围、复数个超薄通道、和一介电层填充于超薄通道外和堆叠结构之间。各堆叠结构包括相连接之底部闸极，复数个闸极和闸极绝缘层交错堆叠于底部闸极上方，和两条选择线分隔地位于闸极之上方且独立控制，该些选择线之间、选择线和闸极之间以及选择线之顶部系以闸极绝缘层绝缘。超薄通道位于电荷捕捉复合层外侧和衬里式地位于堆叠结构之间，相邻堆叠结构之相对侧面的每两超薄通道构成一超薄U形通道。两相邻堆叠结构间有一字元线选择器区域(WLS region)包括多个超薄U形通道和一对字元线选择器位于超薄U形通道两侧以控制该些超薄U形通道。