雷射处理方法以及雷射处理装置;LASER TREATMENT METHOD AND LASER TREATMENT DEVICE

摘要

本发明降低因脉冲雷射的重叠照射而形成于半导体膜的凸起部的不良影响。本发明的雷射处理方法在非单晶半导体膜上一边扫描具有规定的光束剖面形状的脉冲雷射一边以规定的扫描间距重叠照射而形成结晶半导体膜，将凸起部的底边的扫描方向长度设为b，将扫描间距设为p，其中上述凸起部是藉由对半导体膜的脉冲雷射的照射而形成于在半导体膜上所照射的脉冲雷射光束的扫描方向后端侧，将扫描间距设定为满足式0.75b≧p≧0.25b的范围而进行脉冲雷射的重叠照射，藉此使凸起部彼此接近地形成而减小凸起部的高低差，从而减少照射不均。