元件内隔离结构之制造方法

摘要

一种元件内隔离结构之制造方法，包括：提供一半导体基板，其上形成有一罩幕层；形成复数个第一沟槽于该罩幕层与该半导体基板之内；形成一第一绝缘层于该些第一沟槽之内；移除部份之该罩幕层，以部份露出位于该些第一沟槽内之该第一绝缘层；形成一保护间隔物于为该罩幕层所部份露出之该第一绝缘层之一侧面上，并部份露出介于该第一绝缘层间之该罩幕层；施行一蚀刻制程，于该保护间隔物所露出之该罩幕层之该部以及其下方之该半导体基板之内形成复数个第二沟槽于该半导体基板与该罩幕层内；形成一第二绝缘层于该些第二沟槽内；以及移除高于该半导体基板之一顶面之该保护间隔物、该罩幕层、该第一绝缘层与该第二绝缘层。

主权项

一种元件内隔离结构之制造方法，包括：提供一半导体基板，其上形成有一罩幕层；形成复数个第一沟槽于该罩幕层与该半导体基板之内；形成一第一绝缘层于该些第一沟槽之内；移除部份之该罩幕层，以部份露出位于该些第一沟槽内之该第一绝缘层；形成一保护间隔物于为该罩幕层所部份露出之该第一绝缘层之一侧面上，并部份露出介于该第一绝缘层间之该罩幕层；施行一蚀刻制程，于为该保护间隔物所露出之该罩幕层以及其下方之该半导体基板之内以形成复数个第二沟槽；形成一第二绝缘层于该些第二沟槽内；以及移除高于该半导体基板之一顶面之该保护间隔物、该罩幕层、该第一绝缘层与该第二绝缘层。