半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，是由使用以pMOS的闸极宽为nMOS的闸极宽的两倍之SGT的高积集、高速的至少两段以上的CMOS反相器结合电路构成。;与本发明有关的半导体装置是由结合两段以上的CMOS反相器之CMOS反相器结合电路构成，第一CMOS反相器是由第一列第一行与第二列第一行的pMOS SGT与第一列第二行的nMOS SGT构成，第二CMOS反相器是由第一列第三行与第二列第三行的pMOS SGT与第二列第二行的nMOS SGT构成，连接如下的构件：藉由岛状半导体下部层连接第一列第一行与第二列第一行的SGT的汲极扩散层与第一列第二行的SGT的汲极扩散层而配线之输出端子；以及连接第一列第三行与第二列第三行的SGT的闸极与第二列第二行的SGT的闸极而配线之输入端子。

主权项

一种半导体装置，具备结合至少两段以上的CMOS反相器之CMOS反相器结合电路，该CMOS反相器结合电路包含第一CMOS反相器与第二CMOS反相器，系由在基板上排列成两列三行的MOS电晶体构成之两段CMOS反相器，第一行及第三行的MOS电晶体之每一个为p通道MOS电晶体，第二行的MOS电晶体之每一个为n通道MOS电晶体，该p通道MOS电晶体及n通道MOS电晶体的每一个为具有对基板，将汲极、闸极、源极配置于垂直方向，闸极包围岛状半导体层之构造，该第一CMOS反相器包含：第一行的两个p通道MOS电晶体；第二行的一方的n通道MOS电晶体；相互连接第二行的该一方的n通道MOS电晶体的闸极与第一行的两个p通道MOS电晶体的闸极而配线之第一CMOS反相器的输入端子；藉由岛状半导体下部层相互连接第二行的该一方的n通道MOS电晶体的汲极扩散层与第一行的两个p通道MOS电晶体的汲极扩散层而配线之第一CMOS反相器的输出端子；配线于第二行的该一方的n通道MOS电晶体的源极扩散层上的第一CMOS反相器用之第一电源供给配线；配线于第一行的两个p通道MOS电晶体的源极扩散层上的第一CMOS反相器用之第二电源供给配线；该第二CMOS反相器包含：第三行的两个p通道MOS电晶体；与第二行的该一方的n通道MOS电晶体不同之第二行的另一方的n通道MOS电晶体；相互连接第二行的该另一方的n通道MOS电晶体的闸极与第三行的两个p通道MOS电晶体的闸极而配线之第二CMOS反相器的输入端子；藉由岛状半导体下部层相互连接第二行的该另一方的n通道MOS电晶体的汲极扩散层与第三行的两个p通道MOS电晶体的汲极扩散层而配线之第二CMOS反相器的输出端子；配线于第二行的该另一方的n通道MOS电晶体的源极扩散层上的第二CMOS反相器用之第一电源供给配线；配线于第三行的两个p通道MOS电晶体的源极扩散层上之第二电源供给配线；该第一CMOS反相器用之第一电源供给配线与第二CMOS反相器用之第一电源供给配线是在第二行的n通道MOS电晶体的源极扩散层上相互连接，第一CMOS反相器的输出端子是连接于第二CMOS反相器的输入端子。