发明名称 布线基板之制造方法、半导体装置之制造方法及布线基板
摘要 一半导体装置100具有一种在一布线基板120上覆晶安装一半导体晶片110之结构。该布线基板120具有一多层结构,其中叠合复数个布线层及复数个绝缘层及将绝缘层叠合成为一第一层122、一第二层124、一第三层126及一第四层128。在一第一绝缘层121与一第二绝缘层123间之界面上形成一在径向(平面方向)上比一第一电极垫130之外径宽之第二电极垫132。在该第一电极垫130与一介层134间提供该第二电极垫132,其中该第二电极垫132系形成比该第一电极垫130宽。
申请公布号 TWI443791 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW097110349 申请日期 2008.03.24
申请人 新光电气工业股份有限公司 日本 发明人 小林和弘
分类号 H01L23/488;H01L23/12 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种布线基板之制造方法,包括:一第一步骤,形成一第一电极垫于一支撑基板上,该第一电极垫具有一前表面及相对于该前表面之一后表面,使该第一电极垫之该后表面接触该支撑基板;一第二步骤,叠合一包围该第一电极垫之外周围的第一绝缘层于该支撑基板之一表面上;一第三步骤,形成一从该第一电极垫之该前表面至该第一绝缘层之一表面的第二电极垫,该第二电极垫在平面方向上比该第一电极垫之外周围宽;一第四步骤,叠合一第二绝缘层于该第二电极垫及该第一绝缘层之表面上;一第五步骤,形成一电性连接至该第二电极垫之布线层于该第二绝缘层之一表面上;以及一第六步骤,移除该支撑基板以暴露该第一电极垫之该后表面,从而得到该布线基板,其中被暴露之该第一电极垫之该后表面作为一外部连接表面。
地址 日本