发明名称 在蚀刻处理前施行之遮罩层处理方法
摘要 一种在蚀刻底层薄膜之前预先处理遮罩层的方法。利用弹道电子束加强的电浆来蚀刻一薄膜(例如一介电膜)。为了要减少图案定义的损失,例如线缘粗度效应,利用含氧电浆、含卤素电浆、或是惰性气体电浆、或是其中两者或是更多的组合在蚀刻处理之前先处理遮罩层。
申请公布号 TWI443743 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102148013 申请日期 2007.08.07
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 凡特萨克 彼得L G;陈立;舆石公;沢田郁夫
分类号 H01L21/3065;H01L21/67;H05H1/46;H05H5/00 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种蚀刻方法,用以蚀刻形成在一基板上且于其上方具有图案化遮罩层之一薄膜,该蚀刻方法包含:利用一预先蚀刻电子束处理该遮罩层,该处理步骤包含:利用一电浆处理系统,将该基板配置于一基板支座之上;在该电浆处理系统中,从一预先蚀刻气体形成一预先蚀刻电浆;耦合DC电源至该电浆处理系统中之一电极,以形成该预先蚀刻电子束,该电极系与该电浆处理系统中的该基板支座相对配置且面向该基板支座;及将该基板暴露于该预先蚀刻电浆及该预先蚀刻电子束中。
地址 日本