发明名称 |
成膜装置及使用其之方法 |
摘要 |
本发明揭示一种使用一成膜装置之方法,其包括:于该成膜装置之反应室内,在一目标基板上实施产品膜之成膜,该产品膜系选自由氮化矽膜及氮氧化矽膜所组成之群组;及自该反应室卸载该目标基板。其后,该方法包括:首先,在一后处理温度下加热该反应室之一内表面,同时将一用于氮化之后处理气体供应至该反应室内,由此对反应室内表面上所沈积之副产物膜实施氮化;接着快速冷却该反应室之内表面,由此藉由热应力使该副产物膜破裂;再强制性地将气体自该反应室内部排出,以携载自内表面如此剥离之副产物膜。 |
申请公布号 |
TWI443714 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW096123315 |
申请日期 |
2007.06.27 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 日本 |
发明人 |
野寺伸武;长谷部一秀;山本和弥 |
分类号 |
H01L21/205;H01L21/67;C23C16/30 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种使用一成膜装置之方法,其包括:于该成膜装置之一反应室内,在一目标基板上实施产品膜之成膜,该产品膜系选自由氮化矽膜及氮氧化矽膜所组成之群组;自该反应室卸载该目标基板;其后,在一后处理温度下加热该反应室之一内表面,同时将一用于氮化之后处理气体供应至该反应室内,由此对该反应室之内表面上所沈积之副产物膜实施氮化;在该氮化后,将该反应室之内表面自该后处理温度快速冷却,由此藉由热应力使该副产物膜破裂并使该副产物膜自该反应室之内表面剥离;及强制性地将气体自该反应室内部排出,以藉由气流携载自内表面如此剥离之副产物膜,由此自该反应室排出该副产物膜。 |
地址 |
日本 |