发明名称 覆盖有密封层之光半导体元件、其制造方法及光半导体装置;ENCAPSULATING LAYER-COVERED OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, PRODUCING METHOD THEREOF, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 本发明之覆盖有密封层之光半导体元件之制造方法包括:配置步骤,其系将密封层配置于支持台之厚度方向一侧;及覆盖步骤,其系于配置步骤之后,对光半导体元件以露出其一面之方式藉由密封层进行覆盖,获得覆盖有密封层之光半导体元件。
申请公布号 TW201427101 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102147299 申请日期 2013.12.19
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 片山博之;野吕弘司;伊藤久贵
分类号 H01L33/48(2010.01) 主分类号 H01L33/48(2010.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 NITTO DENKO CORPORATION 日本