| 发明名称 |
半导体结构及积体电路之制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT |
| 摘要 |
本发明之一实施例提供一种半导体结构，包括：一半导体基板，具有一第一半导体材料，具有一第一反应性；以及一低反应性盖层，设置于该半导体基板上，其中该低反应性盖层包括一第二半导体材料，具有一第二反应性低于该第一反应性，以及该低反应性盖层包括锗化矽Si1-xGex，x低于30%。 |
| 申请公布号 |
TW201427019 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW102145068 |
申请日期 |
2013.12.09 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
姚亮吉;张毅敏;奥野泰利;张志豪;张守仁;万幸仁 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
