半导体结构及其制程;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS THEREOF

摘要

一种半导体结构，包含有一第一闸极以及一第二闸极、一第一间隙壁及一第二间隙壁、二第一磊晶结构及二第二磊晶结构。第一闸极以及第二闸极位于一基底上。第一间隙壁及第二间隙壁分别位于第一闸极以及第二闸极侧边的基底上。第一磊晶结构及第二磊晶结构分别位于第一间隙壁及第二间隙壁侧边的基底中，其中第一间隙壁以及第二间隙壁具有不同的厚度，且第一磊晶结构之间的间距与第二磊晶结构之间的间距不同。此外，本发明亦提供一种半导体制程，用以形成前述之半导体结构。