| 发明名称 |
写录装置与方法 |
| 摘要 |
一种写录装置，其特征在于：具有一韧体，该韧体系被组构以执行下列操作：以单次写录光记录媒体之复数个写录速度之其中一速度，对一可重复写录光记录媒体进行写录；其中，该可重复写录光记录媒体之记录层包含Ge、In、Sb、Te与Sn之其中至少四种元素，其中Sb/Te的成分比例之范围在3至8之间，该记录层之厚度在3nm至25nm之间。 |
| 申请公布号 |
TWI443654 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW100146888 |
申请日期 |
2011.12.16 |
| 申请人 |
中环股份有限公司 台北市中山区民权西路53号15楼 |
发明人 |
洪永辉;李正弼;李坤隆;潘敏豪 |
| 分类号 |
G11B7/006;G11B7/242 |
主分类号 |
G11B7/006 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
刘光德 台北市大安区敦化南路2段164号6楼之3 |
| 主权项 |
一种写录装置，其特征在于：具有一韧体，该韧体系被组构以执行下列操作：以单次写录光记录媒体之复数个写录速度之其中一速度，对一可重复写录光记录媒体进行写录；其中，该可重复写录光记录媒体之记录层包含Ge、In、Sb、Te与Sn之其中至少四种元素，其中Sb/Te的成分比例之范围在3至8之间，该记录层之厚度在3nm至25nm之间。 |
| 地址 |
台北市中山区民权西路53号15楼 |
