| 发明名称 |
鳍形半导体结构之制造方法 |
| 摘要 |
一种鳍形半导体结构之制造方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板上具有一半导体岛与一介电层；形成一罩幕层于该半导体岛及该介电层之上；形成一开口于该罩幕层内，该开口露出该半导体岛之顶面以及邻近该半导体岛之该介电层之部分顶面；施行一蚀刻程序，同时蚀刻部分之该罩幕层及为该开口露出之部分该半导体岛与该介电层；以及移除该罩幕层与该介电层，留下具有圆滑化顶面及不同厚度之一经蚀刻半导体岛于该半导体基板之上。 |
| 申请公布号 |
TWI443759 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW100129322 |
申请日期 |
2011.08.17 |
| 申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
林智清;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种鳍形半导体结构之制造方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板上具有一半导体岛与一介电层；形成一罩幕层于该半导体岛及该介电层之上；形成一开口于该罩幕层内，该开口露出该半导体岛之顶面以及邻近该半导体岛之该介电层之部分顶面；施行一蚀刻程序，同时蚀刻部分之该罩幕层及为该开口露出之部分该半导体岛与该介电层；以及移除该罩幕层与该介电层，留下具有圆滑化顶面及不同厚度之一经蚀刻半导体岛于该半导体基板之上。 |
| 地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
