发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括井区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于井区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分,位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的井区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的井区中。井区、第一掺杂层与第一掺杂区系具有第一导电型。第二掺杂层系具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压萧特基二极体。 |
申请公布号 |
TWI443760 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW100121111 |
申请日期 |
2011.06.16 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
陈永初;洪崇佑;朱建文 |
分类号 |
H01L21/338;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L21/338 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:一井区;一介电结构,位于该井区上,且具有相对的一第一介电侧边与一第二介电侧边,其中该介电结构包括一第一介电部分与一第二介电部分,位于该第一介电侧边与该第二介电侧边之间;一第一掺杂层,位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该井区上;一第二掺杂层,位于该第一掺杂层上;以及一第一掺杂区,位于该第一介电侧边上的该井区中,其中该井区、该第一掺杂层与该第一掺杂区系具有一第一导电型,该第二掺杂层系具有相反于该第一导电型的一第二导电型,一阴极系电性连接至该第一掺杂区,一阳极系电性连接至该第二介电侧边上的该井区。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |