| 摘要 |
1. Способ для записи в самоотносимую ячейку MRAM, содержащую магнитный туннельный переход, содержащий:- запоминающий слой, включающий в себя первый ферромагнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания, второй ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания, и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй ферромагнитные слои;- слой считывания, имеющий свободную намагниченность считывания; и- туннельный барьерный слой, заключенный между слоем считывания и запоминающим слоем;причем, первый и второй ферромагнитные слои расположены так, что дипольное взаимодействие между запоминающим слоем и слоем считывания является по существу нулевым;при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:- переключают намагниченность второго ферромагнетика посредством пропускания через магнитный туннельный переход спин-поляризованного тока;при этом спин-поляризованный ток при прохождении в слое считывания поляризован в соответствии с направлением намагниченности считывания.2. Способ по п. 1, в котором направление намагниченности считывания определяют приложением магнитного поля до упомянутого переключения намагниченности второго ферромагнетика.3. Способ по п. 2, в котором слой считывания имеет такую анизотропию формы или магнитокристаллическую анизотропию, чтобы стабилизировать направление намагниченности считывания.4. Способ по п. 1, в котором направление переключения намагниченности второго ферромагнетика определяют полярностью спин-поляризованного тока.5. Способ по п. 1, в котором направление намагниченности считывания определяют приложением магнитного поля во время упомянут |
