| 摘要 |
L'invention concerne un circuit intégré comprenant :•un premier caisson (60) semi-conducteur ;•une pluralité de cellules standard (66), chaque cellule standard comportant un premier transistor à effet de champ de technologie FDSOI comprenant un premier plan de masse semi-conducteur, situé immédiatement sur le premier caisson ;ne cellule d'arbre d'horloge (30), contiguë à des cellules standard, la cellule d'arbre d'horloge comportant un second transistor à effet de champ de technologie FDSOI lequel comporte un second plan de masse semi-conducteur situé immédiatement sur le premier caisson (60), de manière à former une jonction p-n avec ce premier caisson. Le circuit intégré comporte un réseau d'alimentation (51) électrique apte à appliquer des polarisations électriques distinctes directement sur les premier et second plans de masse. |
