| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Infrarotsensor (40) mit einer Mikrostruktur mit mehreren Thermoelementen (34) und einem Trägerelement (44), wobei jedes der Thermoelemente (34) ein erstes Sensorelement (28), das einen ersten Seebeck-Koeffizienten aufweist, und ein zweites Sensorelement (30), das einen zweiten Seebeck-Koeffizienten aufweist, umfasst, wobei sich das erste und das zweite Sensorelement (28, 30) von einer Vorderseite des Trägerelements (44) durch das Trägerelement (44) hindurch auf eine Rückseite (16) des Trägerelements (44) erstrecken, und wobei das erste und das zweite Sensorelement (28, 30) in einem Bereich der Oberseite des Trägerelements (44) elektrisch miteinander verbunden sind, wobei das Trägerelement (44) ein Substrat für einen integrierten Schaltkreis (18) bildet, der auf der Rückseite (16) des Trägerelements (44) ausgebildet ist und der zumindest ein Bauteil umfasst, das mit dem ersten und dem zweiten Sensorelement (28, 30) elektrisch verbunden ist.</p> |
