Seitenwand-Abbildungs-Transfer-Prozess mit mehreren kritischen Abmessungen

摘要

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit mit mehreren kritischen Abmessungen in einem Prozess für einen Transfer von Abbildungen von Seitenwänden bereit. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden einer dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus über einer Vielzahl von Mandrells, wobei die dielektrische Schicht mit mehreren Niveaus eine Vielzahl von Bereichen aufweist, welche die Vielzahl von Mandrells bedecken, wobei die Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus unterschiedliche Dicken aufweist; ein Ätzen der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus zu Abstandshaltern, indem ein gerichteter Ätzprozess angewendet wird, wobei die Abstandshalter unmittelbar neben Seitenwänden der Vielzahl von Mandrells gebildet werden und unterschiedliche Breiten aufweisen, die mit den unterschiedlichen Dicken der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus korrespondieren; ein Entfernen der Vielzahl von Mandrells zwischen den Abstandshaltern; sowie ein Transferieren von Abbildungen der Unterseiten der Abstandshalter in eine oder mehrere Schichten unterhalb der Abstandshalter.