| 摘要 |
Leuchtdiodenmodul (10) mit–mindestens einem ersten Leuchtdiodenchip (1), der auf dem Materialsystem AlInGaN basiert und der dazu eingerichtet ist, eine erste Strahlung im blauen Spektralbereich zu emittieren,–mindestens einem zweiten Leuchtdiodenchip (2), der auf dem Materialsystem InGaAlP basiert und der dazu eingerichtet ist, eine zweite Strahlung im roten Spektralbereich zu emittieren, und–einem Konversionselement (3), das zumindest dem ersten Leuchtdiodenchip (1) nachgeordnet und zur Umwandlung eines Teils der ersten Strahlung in eine dritte Strahlung im grünen bis grün-gelben Spektralbereich eingerichtet ist, wobei–das Konversionselement (3) einen ersten Leuchtstoff (31) und einen zweiten Leuchtstoff (32) umfasst,–der erste Leuchtstoff (31) dazu eingerichtet ist, kurzwelliger zu emittieren als der zweite Leuchtstoff (32),–der erste Leuchtstoff (31) zwischen einschließlich 450 nm und 460 nm eine zu größeren Wellenlängen hin abnehmende Absorption und eine dominante Emissionswellenlänge kleiner 570 nm aufweist,–der zweite Leuchtstoff (32) zwischen einschließlich 450 nm und 470 nm ein Absorptionsmaximum und eine dominante Emissionswellenlänge größer 570 nm aufweist,–das Konversionselement (3), das dem ersten Leuchtdiodenchip (1) nachgeordnet ist, ein erstes Matrixmaterial und erste Streupartikel (33) umfasst,–das erste Matrixmaterial ein niedrig-brechendes Silikon mit einem Brechungsindex von 1,41 ± 0,02 bei 300 K ist,–die ersten Streupartikel (33) Bariumfluorid, Kalziumfluorid oder Magnesiumfluorid aufweisen oder hieraus bestehen, sodass ein Brechungsindexunterschied zwischen dem ersten Matrixmaterial und den ersten Streupartikeln (33) bei einer Temperatur von 300 K kleiner ist als bei 400 K, und–die ersten Streupartikel (33) einen mittleren Durchmesser zwischen einschließlich 400 nm und 20μm aufweisen. |
