| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Vielzahl von Halbleitereinheits-Schichten von einem darunter liegenden Basissubstrat bereitgestellt. Auf dem Basissubstrat wird ein mehrschichtiger Stapel gebildet, welcher abwechselnde Schichten von Opfermaterialschichten und Halbleitereinheits-Schichten umfasst. Jede folgende Opfermaterialschicht, die gebildet wird, ist dicker als die zuvor gebildete Opfermaterialschicht. Wegen des Unterschieds in den Dicken der Opfermaterialschichten wird jede Opfermaterialschicht in einer anderen Geschwindigkeit geätzt, wobei dickere Opfermaterialschichten schneller geätzt werden als dünnere Opfermaterialschichten. Anschließend wird eine Ätzbehandlung durchgeführt, mit welcher zuerst die dickste Opfermaterialschicht des mehrschichtigen Stapels geätzt wird. Die oberste Halbleitereinheits-Schicht innerhalb des mehrschichtigen Stapels wird dementsprechend als erste abgelöst. Wenn die Ätzbehandlung fortgesetzt wird, werden nacheinander die anderen Opfermaterialschichten in der Reihenfolge abnehmender Dicke entfernt, und die anderen Halbleitereinheits-Schichten werden nacheinander entfernt.</p> |
