| 发明名称 |
METHOD FOR DOPING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES, AND DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem ein Halbleitersubstrat mit einer einen Dotierstoffenthaltenden Schicht versehen wird, der Dotierstoff durch eine Temperaturbehandlung in das Halbleitersubstrat eingetrieben wird und anschließend eine feuchte Oxidation in einer Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erfolgt.</p> |
| 申请公布号 |
WO2014096443(A1) |
申请公布日期 |
2014.06.26 |
| 申请号 |
WO2013EP77879 |
申请日期 |
2013.12.23 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
ROTHHARDT, PHILIP;WOLF, ANDREAS;BIRO, DANIEL;BELLEDIN, UDO |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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