经由激光衍射测量3D半导体结构的温度的设备及方法

摘要

本发明的实施例大致上涉及用以测量及监控基板的温度的设备及方法，所述基板上具有三维(3D)特征结构。设备包含光源、聚焦透镜及发射率计，所述光源用以照射基板，所述基板上具有3D特征结构，所述聚焦透镜用以聚集且聚焦反射光，所述发射率计用以检测聚焦的所述反射光的发射率。设备亦包含光束分光器及成像装置。成像装置提供反射光的衍射图案的放大图像。方法包含以光照射基板，所述基板上具有3D特征结构，且以聚焦透镜聚焦反射光。然后聚焦光导向传感器且测量基板的发射率。反射光亦可入射成像装置，以产生反射光的衍射图案的放大图像。

主权项

一种设备，包括：腔室主体；基板支撑件，所述基板支撑件放置于所述腔室主体内；反射测量系统，所述反射测量系统放置于所述腔室主体内，所述反射测量系统包含：光源，所述光源经放置以将光导向所述基板支撑件的基板支撑表面；聚焦透镜，所述聚焦透镜经放置以收集从放置于所述基板支撑表面上的基板的表面所反射的光；及光束分光器，所述光束分光器经放置以将由所述聚焦透镜所收集的光的第一部分导向发射率计，所述发射率计确定所述基板的发射率，且所述光束分光器经放置以将由所述聚焦透镜所收集的光的第二部分导向成像装置；以及处理单元，所述处理单元用以根据所述基板的所述发射率来确定所述基板的温度。