| 发明名称 | SiAlON薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7-35.6％的Si，10.8-13.4％的Al，19.3-57.5％的O，以及3.9-31.7％的N，所述薄膜还额外包含1-3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。本发明还提供了用来制备该薄膜的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103880432A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201210563617.5 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 刘光辉;刘茜;周真真;魏钦华;杨华 |
| 分类号 | C04B35/599(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/599(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 江磊 |
| 主权项 | 一种SiAlON薄膜，以Si、Al、O和N的总原子数为基准计，该薄膜包含：27.7‑35.6％的Si，10.8‑13.4％的Al，19.3‑57.5％的O，以及3.9‑31.7％的N，所述薄膜还额外包含1‑3％的以下附加金属元素：稀土元素、碱土金属、或其组合，以上百分数均为原子数百分比。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||