一种控制氧施主单晶的生产工艺方法

摘要

本发明涉及一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm。本发明的有益效果是：通过对生产步骤中籽晶转速的控制、坩埚的转速控制、坩埚上升速度的控制和惰性气体流量的控制以及单晶炉体内保温层和导流屏保温层的改进，减少单晶处于氧施主产生空间的时间,达到降低氧施主的目的。

主权项

一种控制氧施主单晶的生产工艺方法，包括引颈步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤，其特征在于：在上述所有步骤中，单晶炉体内的坩埚（1）内的液面始终保持在高锅位，所述的高锅位为坩埚（1）内的液面与导流屏（2）底部的距离是15～25mm；所述的引颈步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0mm/min；所述的放肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.05～0.15mm/min；所述的转肩步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.2mm/min；所述的等径步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.19～0.25mm/min；所述的收尾步骤中，籽晶的转速为7～8r/min，坩埚（1）的转速为7～9r/min，坩埚（1）上升的速度为0.15～0.05mm/min。