发明名称 |
引线框架加工方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种引线框架加工方法,可包括:在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在第一导电层上设置介质层;在介质层上设置第二导电层;在第二导电层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔;在钻出了若干个孔的第二导电层上贴膜;对膜进行曝光显影处理以露出线路图形区域和孔,其中曝光显影处理后的剩余膜覆盖第二导电层的非线路图形区域;在孔内填充导电物质并增厚线路图形区域的导电物质;去除第二导电层上的剩余膜;去除第二导电层的非线路图形区域的导电物质。本发明实施例提供的技术方案有利于提高引线框架的制作精度。 |
申请公布号 |
CN103887180A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201210558294.0 |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
深南电路有限公司 |
发明人 |
陈冲;刘德波;孔令文;彭勤卫;杨志刚 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 |
代理人 |
唐华明 |
主权项 |
一种引线框架加工方法,其特征在于,包括:在载体材料的第一面上加工出第一导电层;在所述第一导电层上设置介质层;在所述介质层上设置第二导电层;在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔;在钻出了所述若干个孔的所述第二导电层上贴膜;对所述膜进行曝光显影处理以露出线路图形区域和所述孔,其中,所述曝光显影处理后的剩余膜覆盖所述第二导电层的非线路图形区域;在所述孔内填充导电物质并增厚所述线路图形区域的导电物质;去除所述第二导电层上的剩余膜;去除所述第二导电层的非线路图形区域的导电物质。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区侨城东路99号 |