薄膜晶体管

摘要

本发明的目的在于提供具有电特性高且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置。在具有沟道截止型的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，该沟道截止型的反交错型薄膜晶体管包括：栅电极；栅电极上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；微晶半导体膜上的缓冲层；与微晶半导体膜的沟道形成区域重叠地形成在缓冲层上的沟道保护层。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：栅电极；形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的包括沟道形成区域的微晶半导体膜；形成在所述微晶半导体膜上的缓冲层；形成在所述缓冲层上以与所述微晶半导体膜的所述沟道形成区域重叠的沟道保护层；形成在所述沟道保护层上的源区及漏区；以及形成在所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极，绝缘膜形成在所述沟道保护层、所述源电极及所述漏电极上，其中，形成为与所述栅电极重叠的所述微晶半导体膜的端部比所述栅电极的端部靠内侧。