高密度互连器件及方法

摘要

描述了允许经由直接芯片附连（DCA）在微电子管芯和主板之间的高密度和低密度互连的实施例。在一些实施例中，微电子管芯具有高密度互连和低密度连接区域，高密度互连具有沿一个边缘定位的小凸点间距，低密度连接区域具有位于所述管芯的其它区域中的较大的凸点间距。管芯之间的高密度互连区域利用互连桥来互连，该互连桥由能够支持在其上制造高密度互连的材料制成，诸如硅。低密度互连区域用于利用DCA将经互连的管芯直接附连到板。当利用互连桥互连管芯时，高密度互连可利用当前的受控塌陷芯片连接(C4)间距，同时允许电路板上更大的间距。

主权项

一种系统，包括：第一管芯，具有第一管芯边缘和第一管芯表面，所述第一管芯包括：在所述第一管芯表面上与所述第一管芯边缘相邻定位的第一管芯高密度互连，所述第一管芯高密度互连具有第一凸点间距；以及定位在所述第一管芯表面上的第一管芯连接区域，所述第一管芯连接区域具有第二凸点间距；以及第二管芯，具有第二管芯边缘和第二管芯表面，所述第二管芯包括：在所述第二管芯表面上与所述第二管芯边缘相邻定位的第二管芯高密度互连，所述第二管芯高密度互连具有所述第一凸点间距；以及定位在所述第二管芯表面上的第二管芯连接区域，所述第二管芯连接区域具有第三凸点间距；以及桥，所述桥具有多个高密度互连，所述多个高密度互连具有所述第一凸点间距，所述多个高密度互连之一连接到所述第一管芯高密度互连，且所述多个高密度互连中的另一个连接到所述第二管芯高密度互连。