| 发明名称 | 一种膜层的干法刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种膜层的干法刻蚀方法，包括以下步骤：S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。本发明适用于大部分控制线、过孔等干法刻蚀，能控制膜层坡度角大小，通过选择可选的方案获得需要的坡度角，解决膜层顶部的突起，膜层底部钻刻，防止后续膜层的断裂，解决了由于膜层断裂引起的腐蚀和短路等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103887165A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410084219.4 | 申请日期 | 2014.03.07 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 谌泽林;赵吾阳;倪水滨;欧飞 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种膜层干法刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1混合刻蚀反应气体和PR灰化气体，形成反应气体；S2对膜层进行刻蚀，同时对膜层上的PR胶进行灰化处理，直至暴露出的膜层被刻蚀完毕；S3除去剩下的PR胶后，膜层的两端形成斜面。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||