| 发明名称 | 金属与N型锗接触的制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属与N型锗接触的制备方法与应用。该方法包括:对N型锗衬底进行表面清洗；后在N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；再在N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。上述金属与N型锗接触的制备方法通过插入特定厚度的N型掺杂的半导体层，不仅有利于削弱费米能级钉扎，降低电子势垒，减小肖特基势垒电阻，且有利于降低隧穿电阻。同时，本发明的N型掺杂的半导体层在降低隧穿电阻的同时，也使隧穿电阻与N型掺杂的半导体层厚度的相关性减弱，降低了在N型掺杂的半导体层的制备工艺中对N型掺杂的半导体层厚度均匀性的限制。 | ||
| 申请公布号 | CN103887228A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410077067.5 | 申请日期 | 2014.03.04 |
| 申请人 | 深圳信息职业技术学院 | 发明人 | 周志文;沈晓霞;李世国 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种金属与N型锗接触的制备方法，包括如下步骤：对N型锗衬底进行表面清洗；在所述N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；在所述N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。 | ||
| 地址 | 518172 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2188号 | ||