发明名称 一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构
摘要 本发明公开了一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构,与介质芯、金属空腔一起构成TE模介质谐振器。该支撑(3)一般采用介电常数较谐振器介质芯小的介质材料制作,其作用是将介质谐振器中介质芯配置于腔体中。发明通过对筒形或柱形支撑(3)与谐振器主体或TE模介质芯(2)的连接部位置处开槽(31、32、33、34),在满足支撑与介质芯的连接机械强度要求下,减小二者之间的TE模耦合,削弱支撑中的损耗,从而在不改变介质芯、支撑及金属空腔的材质、工艺下,提高TE模介质谐振器的Q值。
申请公布号 CN103887587A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201410070690.8 申请日期 2014.02.28
申请人 湘南学院;郴州功田电子陶瓷技术有限公司 发明人 黄健全;陈功田;丁淑芳;夏芬;唐政华;何艳红
分类号 H01P7/10(2006.01)I 主分类号 H01P7/10(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构,是一个筒或柱形支撑(3);其特征在于,在筒或柱形支撑(3)与谐振器主体或TE模介质芯(2)的连接部位置处开槽(31、32、33、34)。
地址 423000 湖南省郴州市苏仙区王仙岭东麓湘南学院