发明名称 |
结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物及织构蚀刻方法 |
摘要 |
本发明涉及一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法,更详细涉及如下结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物以及织构蚀刻方法:通过包含由具有氮原子的碳数为4~10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子,在结晶性硅晶片的表面形成微细金字塔结构时,能够形成使不同位置的织构的质量偏差变得最小以增加光效率并降低反射率的、特定结构的金字塔。 |
申请公布号 |
CN103890139A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201280051761.9 |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
东友精细化工有限公司 |
发明人 |
洪亨杓;李在连;朴勉奎;林大成 |
分类号 |
C09K13/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C09K13/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
杨黎峰;石磊 |
主权项 |
一种结晶性硅晶片的织构蚀刻液组合物,所述组合物包含:由至少具有一个氮原子的碳数为4~10的环状化合物进行取代后的单体聚合而成的高分子。 |
地址 |
韩国全罗北道益山市 |