发明名称 |
具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法。采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备的薄膜,在高真空环境下具有超润滑性能的硅、铝共掺杂的含氢非晶碳薄膜,该种薄膜具有纳米网络状及类富勒烯复合的纳米结构,具有极为优异的弹性恢复性能。此外,即使薄膜的纳米硬度较低,属于软质薄膜,在真空环境下表现出了优异的摩擦磨损性能,最低摩擦系数达到0.001,磨损率低至10<sup>-19</sup>m<sup>3</sup>/N·m数量级。该种薄膜均匀致密,与金属基材料结合牢固,作为固体润滑及密封材料,在真空环境中的各种机械运动部件方面具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN103882376A |
申请公布日期 |
2014.06.25 |
申请号 |
CN201210561459.X |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
郝俊英;刘小强 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 62002 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
一种具有纳米结构的超润滑非晶碳薄膜的制备方法,其特征在于采用射频磁控溅射物理气相沉积技术制备,具体操作步骤为:1)用无水乙醇和丙酮分别超声清洗的单晶硅片,吹干后置于固体润滑薄膜沉积系统的沉积室中,然后进行抽真空;2)当真空度高于5.0×10<sup>‑4</sup> Pa时,通氩气于沉积室中,在占空比为70.0%、脉冲直流负偏压700‑1000 V的条件下用氩(Ar)等离子体进行溅射清洗基材25‑35min;3)过渡层由纯Ar等离子体溅射孪生钛靶或Si/Al混合靶材,面积比A<sub>铝</sub>/A<sub>硅</sub>=1/8制得,制备条件为中频频率40 KHz电流2.0 A,氩气流量为40.0 sccm,工作压强为4.0‑5.0 Pa,基底偏压为‑200 V,靶材与基材距离为9‑10 cm,沉积时间为8‑12 min ;4)将甲烷气和氩气以1:7比例混合后通入反应室中,在工作压强为0.5‑1.2 Pa的条件下开启射频电源,频率 27.12 MHz, 功率为400‑700 W,在自偏压的作用下,产生的含有C和Ar的等离子体共同溅射Si/Al混合靶材,面积比为A<sub>铝</sub>/A<sub>硅</sub>=1/8;5)薄膜沉积过程中,基材无额外加热,且负偏压为0‑50V。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |