一种多晶硅片绒面的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅片绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的多晶硅片放入第一制绒槽进行第一次制绒；制绒混合溶液处于循环状态；(2)将待处理的多晶硅片放入第二制绒槽进行第二次制绒；制绒混合溶液处于循环状态和鼓泡状态；(3)将待处理的多晶硅片放入第三制绒槽进行第三次制绒；制绒混合溶液处于循环状态和鼓泡状态。经产线实验证实：15万片硅片经本发明的方法制绒后，只有80片产生了水纹印，相较于以往技术在去除水纹印方面有了显著提高；另外，采用本发明的方法制绒后，硅片表面的花篮印几乎不存在；由此可见，本发明极大地改善了电池片的外观，解决了本领域亟待解决的技术难题。

主权项

一种多晶硅片绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的多晶硅片放入第一制绒槽进行第一次制绒；所述第一制绒槽中的制绒混合溶液的组分，按质量计，包括：0.5%~1.5%的 CrO₃、40%~50%的HF水溶液、0.004%~0.03%的聚乙二醇、0.01%~0.03%的聚丙烯酰胺、0.04%~0.15%的丙烯酸，余量为水；所述HF水溶液中含有质量百分比为49%的HF；腐蚀温度为10~30℃，腐蚀时间为250~350秒；制绒混合溶液处于循环状态；(2) 将待处理的多晶硅片放入第二制绒槽进行第二次制绒；所述第二制绒槽中的制绒混合溶液的组分，按质量计，包括：0.3%~1%的 CrO₃、45%~60%的HF水溶液、0.004%~0.03%的聚乙二醇、0.01%~0.03%的聚丙烯酰胺、0.04%~0.15%的丙烯酸，余量为水；所述HF水溶液中含有质量百分比为49%的HF；腐蚀温度为15~25℃，腐蚀时间为230~270秒；制绒混合溶液处于循环状态和鼓泡状态；(3) 将待处理的多晶硅片放入第三制绒槽进行第三次制绒；所述第三制绒槽中的制绒混合溶液的组分，按质量计，包括：0.3%~1%的 CrO₃、45%~60%的HF水溶液、0.004%~0.03%的聚乙二醇、0.01%~0.03%的聚丙烯酰胺、0.04%~0.15%的丙烯酸，余量为水；所述HF水溶液中含有质量百分比为49%的HF；腐蚀温度为15~25℃，腐蚀时间为230~270秒；制绒混合溶液处于循环状态和鼓泡状态。