| 发明名称 | 降低炉管工艺金属污染的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低炉管工艺金属污染的方法，提供一具有浅槽隔离结构的硅片；于所述硅片暴露的表面制备一氧化层后，继续制备一覆盖在所述氧化层表面的过渡阻挡层；继续进行热处理工艺后，去除所述过渡阻挡层，采用H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>去除过渡阻挡层。本发明所述的方法通过在浅槽隔离结构内形成侧墙氧化层后，并进行高温退火工艺之前，加入形成过渡阻挡层，由于过渡阻挡层的致密性高，因此在进行热处理工艺中过渡阻挡层能够防止金属杂质扩散至所述硅片中，从而有效减少硅片产品的金属污染，提高产品良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103887223A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201410090750.2 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 江润峰;戴树刚 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种降低炉管工艺金属污染的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一具有浅槽隔离结构的硅片；于所述硅片暴露的表面制备一氧化层后，继续制备一覆盖所述氧化层表面的过渡阻挡层；继续热处理工艺后，去除所述过渡阻挡层；其中，所述过渡阻挡层在进行所述热处理工艺中能够防止金属杂质扩散至所述硅片中。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||