| 发明名称 | 功率模块封装件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率模块封装件。所述功率模块包括：大致平面绝缘金属衬底，其具有至少一个切口区域；至少一个大致平面陶瓷衬底，其布置在所述切口区域内，其中所述陶瓷衬底在至少两侧由所述绝缘金属衬底形成框架，所述陶瓷衬底包括在第一侧的第一金属层和在第二侧的第二金属层；至少一个功率半导体器件，其联接到所述陶瓷衬底的所述第一侧；至少一个控制器件，其联接到所述绝缘金属衬底的第一表面；功率覆盖层，所述功率覆盖层电连接所述至少一个半导体功率器件和所述至少一个控制器件；以及冷却流体容器，所述冷却流体容器可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底的所述第二金属层，其中多个冷却流体通道设在所述冷却流体容器中。 | ||
| 申请公布号 | CN103887247A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201310704329.1 | 申请日期 | 2013.12.19 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | E.C.德尔加多;J.S.格拉泽;B.L.罗登 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 肖日松;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种集成功率模块(10)，其包括：大致平面绝缘金属衬底(12)，所述大致平面绝缘金属衬底(12)具有至少一个切口区域(18)；至少一个大致平面陶瓷衬底(14)，所述至少一个大致平面陶瓷衬底(14)布置在所述切口区域(18)内，其中所述陶瓷衬底(14)在至少两侧由所述绝缘金属衬底(12)形成框架，所述陶瓷衬底(14)包括在第一侧的第一金属层(15)和在第二侧的第二金属层(17)；至少一个功率半导体器件(20)，所述至少一个功率半导体器件(20)联接到所述陶瓷衬底(14)的所述第一侧；至少一个控制器件(22)，所述至少一个控制器件(22)联接到所述绝缘金属衬底(12)的第一表面；功率覆盖层(60)，所述功率覆盖层(60)电连接所述至少一个半导体功率器件(20)和所述至少一个控制器件(22)；以及冷却流体容器(58)，所述冷却流体容器(58)可操作地连接到所述至少一个陶瓷衬底(14)的所述第二金属层(17)，其中多个冷却流体通道(54)设在所述冷却流体容器(58)中。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||