发明名称 一种等离子气相反应合成氮化硅粉体及其复合粉体材料的制备方法
摘要 一种等离子气相反应合成氮化硅粉体及其复合粉体材料的方法,解决了现有的氮化硅粉体制备中固相反应所合成的粉体粒径大、颗粒大小不匀、纯度低,分散性不好等问题,同时也解决一般气相合成中所存在的能量利用率及产率过低,工艺过程不易控制以及生成的超细粉易团聚等问题。本发明采用一定化学计量比的SiCl<sub>4</sub>或SiH<sub>4</sub>和N<sub>2</sub>或NH<sub>3</sub>和乙烯气体为反应气体,Ar气作为载气,将几种气体按照一定比例通过等离子炬,在2-50kW的功率下,制备氮化硅粉体材料及其复合材料。本发明可以在等离子条件下、短时间内合成高纯度的氮化硅粉体及其复合粉体材料。采用本发明获得的粉体材料具有超细、高纯及分散性好等特点。
申请公布号 CN103880433A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201210558483.8 申请日期 2012.12.19
申请人 沈阳鑫劲粉体工程有限责任公司 发明人 李端阳;韩绍娟;许壮志;薛健;王世林;张忠义
分类号 C04B35/626(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B35/626(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃
主权项 一种等离子气相反应合成氮化硅粉体的制备方法,该方法是通过下述步骤实现的:1)原料组成及成分范围:SiCl<sub>4</sub>或SiH<sub>4</sub>和N<sub>2</sub>或NH<sub>3</sub>,Ar气作为载气,合成氮化硅粉体,按化学计量比,SiCl<sub>4</sub>(SiH<sub>4</sub>):N<sub>2</sub>(NH<sub>3</sub>)=(0.8‑1.5):(2.0‑4.0);2)具体实现步骤:将含有硅源和氮源的气体混合经气路进入等离子炬反应腔,在2‑50kW的功率下使气体发生反应,在反应过程中以惰性气体作为载气制备氮化硅粉体材料。
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