| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。制造半导体发光器件的方法包括：在衬底上形成多个凹部；将二氧化硅粒子注入多个凹部；以及在衬底上形成半导体层，半导体层包括在半导体层的位于多个凹部的上方的部分中形成的空隙。 | ||
| 申请公布号 | CN103887383A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201310713410.6 | 申请日期 | 2013.12.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 韩尚宪;洪锺波;金承贤;申仑熺;李庭旭 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：在衬底的表面上形成多个凹部；将二氧化硅粒子注入所述多个凹部；以及在所述衬底的具有所述多个凹部的表面上形成半导体层，所述半导体层包括具有多个空隙的表面，所述多个空隙形成在面向所述多个凹部的位置处。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||