一种装置、基于SOI鳍片FET 的传感器及形成传感器的方法

摘要

本发明涉及一种装置、基于SOI鳍片FET的传感器及形成传感器的方法。一种装置包括：感测元件，在衬底的掩埋氧化物层上形成并且提供源极区域和漏极区域之间的通信；在感测元件上形成的栅极介质层，该栅极介质层限定所述感测元件上的感测表面；围绕所述感测元件的钝化表面；以及接合到所述感测表面而未接合到所述钝化表面的化合物，所述化合物具有特定配置为优先接合要被感测的目标分子的配体。与感测表面和钝化表面接触的电解质溶液形成装置的顶部栅极。

主权项

一种装置，包括： 感测元件，在衬底的掩埋氧化物层上形成并且提供源极区域和漏极区域之间的通信； 在所述感测元件上的栅极介质层，所述栅极介质层限定所述感测元件上的感测表面； 钝化表面，围绕所述感测元件；以及 化合物，接合到所述感测表面并且未接合到所述钝化表面，所述化合物具有特定配置为优先接合要被感测的目标分子的配体； 其中与所述感测表面和所述钝化表面接触的电解质溶液形成所述装置的顶部栅极。